FSF250D1,FSF250D1 pdf中文资料,FSF250D1引脚图,FSF250D1电路-Datasheet-电子工程世界

FSF250D1: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小210KB，共6页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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FSF250D1概述

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN

FSF250D1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Harris
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	24 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

FSF250D1相似产品对比

	FSF250D1	FSF250R4	FSF250R1	FSF250R3
描述	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN
厂商名称	Harris	Harris	Harris	Harris
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	24 A	24 A	24 A	24 A
最大漏源导通电阻	0.11 Ω	0.11 Ω	0.11 Ω	0.11 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A	72 A	72 A	72 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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