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IDB04E120

产品描述11.2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小209KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IDB04E120概述

11.2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

IDB04E120规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-220
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
应用FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.15 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流28 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流11.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散43.1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向恢复时间0.115 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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IDB04E120 IDB04E120_07
描述 11.2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 11.2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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