BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | DFN |
包装说明 | R-XBCC-N3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 8.5 V |
击穿电压标称值 | 8.5 V |
最大钳位电压 | 26 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性 | BIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 14 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
Base Number Matches | 1 |
ESD8V0L2B-03LRH | ESD8V0L_09 | ESD8V0L1B-02LRH | |
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描述 | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
零件包装代码 | DFN | - | DFN |
包装说明 | R-XBCC-N3 | - | R-XBCC-N2 |
针数 | 3 | - | 2 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
最小击穿电压 | 8.5 V | - | 8.5 V |
击穿电压标称值 | 8.5 V | - | 14.5 V |
最大钳位电压 | 26 V | - | 26 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | - | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | - | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 | - | R-XBCC-N2 |
JESD-609代码 | e3 | - | e3 |
元件数量 | 2 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 2 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | - | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | 260 |
极性 | BIDIRECTIONAL | - | BIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 14 V | - | 14 V |
表面贴装 | YES | - | YES |
技术 | AVALANCHE | - | AVALANCHE |
端子面层 | MATTE TIN | - | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | 40 |
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