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PDM41257SA8SOITR

产品描述Standard SRAM, 256KX1, 8ns, CMOS, PDSO24
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文件大小298KB,共7页
制造商Paradigm Technology Inc
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PDM41257SA8SOITR概述

Standard SRAM, 256KX1, 8ns, CMOS, PDSO24

PDM41257SA8SOITR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Paradigm Technology Inc
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间8 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J24
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子位置DUAL

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