Avalanche Rated N-channel MOSFET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SSDI |
零件包装代码 | TO-254Z |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 1100 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 25 A |
最大漏源导通电阻 | 0.27 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
SFF44N50Z | SFF44N50M | |
---|---|---|
描述 | Avalanche Rated N-channel MOSFET | Avalanche Rated N-channel MOSFET |
零件包装代码 | TO-254Z | TO-254AA |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 1100 mJ | 1100 mJ |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 25 A | 25 A |
最大漏源导通电阻 | 0.27 Ω | 0.27 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 | S-MSFM-P3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved