NAND512R3B2CV6T,NAND512R3B2CV6T pdf中文资料,NAND512R3B2CV6T引脚图,NAND512R3B2CV6T电路-Datasheet-电子工程世界

NAND512R3B2CV6T: 产品描述64MX8 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48; 产品类别存储存储; 文件大小943KB，共58页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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NAND512R3B2CV6T概述

64MX8 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	VSSOP,
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0
长度	15.4 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.65 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	12 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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