NM24C03MT8,NM24C03MT8 pdf中文资料,NM24C03MT8引脚图,NM24C03MT8电路-Datasheet-电子工程世界

NM24C03MT8: 产品描述256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8; 产品类别存储存储; 文件大小295KB，共16页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数

NM24C03MT8概述

256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOIC
包装说明	TSSOP, TSSOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	16 BYTE PAGE WRITE; WRITE PROTECT; DATA RETENTION>40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.4 mm
内存密度	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256X8
输出特性	OPEN-DRAIN
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	HARDWARE

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