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CY7C225A-30DMB

产品描述OTP ROM, 512X8, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-24
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文件大小186KB,共9页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C225A-30DMB概述

OTP ROM, 512X8, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-24

CY7C225A-30DMB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.3
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间15 ns
其他特性BUFFERED COMMON NOT_PRESET AND NOT_CLEAR INPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
长度31.877 mm
内存密度4096 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512X8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压12.5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.12 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

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1CY7C225A
CY7C225A
512 x 8 Registered PROM
Features
• CMOS for optimum speed/power
• High speed
— 25 ns address set-up
— 12 ns clock to output
• Low power
— 495 mW (Commercial)
— 660 mW (Military)
Synchronous and asynchronous output enables
On-chip edge-triggered registers
Buffered common PRESET and CLEAR inputs
EPROM technology, 100% programmable
Slim 300-mil, 24-pin plastic or hermetic DIP, 28-pin LCC,
or 28-pin PLCC
5V
±10%
V
CC
, commercial and military
TTL-compatible I/O
Direct replacement for bipolar PROMs
• Capable of withstanding greater than 2001V static
discharge
Functional Description
The CY7C225A is a high-performance 512-word by 8-bit
electrically programmable read only memory packaged in a
slim 300-mil plastic or hermetic DIP, 28-pin leadless chip
carrier, and 28-pin PLCC. The memory cells utilize proven
EPROM floating gate technology and byte-wide intelligent
programming algorithms.
The CY7C225A replaces bipolar devices and offers the advan-
tages of lower power, superior performance, and high
programming yield. The EPROM cell requires only 12.5V for
the supervoltage and low current requirements allow for gang
programming. The EPROM cells allow for each memory
location to be tested 100%, as each location is written into,
erased, and repeatedly exercised prior to encapsulation. Each
PROM is also tested for AC performance to guarantee that
after customer programming the product will meet AC specifi-
cation limits.
Logic Block Diagram
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
COLUMN
ADDRESS
O
2
O
1
ADDRESS
DECODER
8-BIT
EDGE-
TRIGGERED
REGISTER
ROW
ADDRESS
PROGRAMMABLE
ARRAY
MULTIPLEXER
O
5
O
4
O
7
Pin Configurations
DIP
Top View
A
7
O
6
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
3
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
PS
E
CLR
E
S
CP
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
CLR
CP
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
E
S
E
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12 13 141516 17 18
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A5
A6
A7
NC
VCC
A8
PS
E
CLR
E
S
CP
NC
O
7
O
6
PS
S
R
CP
O
0
LCC/PLCC
Top View
Selection Guide
7C225A-25
Minimum Address Set-Up Time
Maximum Clock to Output
Maximum Operating
Current
Commercial
Military
25
12
90
7C225A-30
30
15
90
120
7C225A-40
40
25
Unit
ns
ns
mA
mA
Cypress Semiconductor Corporation
Document #: 38-04001 Rev. *B
3901 North First Street
San Jose
CA 95134 • 408-943-2600
Revised October 8, 2002

CY7C225A-30DMB相似产品对比

CY7C225A-30DMB 5962-8851805LX 5962-8851804LX
描述 OTP ROM, 512X8, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-24 OTP ROM, 512X8, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-24 OTP ROM, 512X8, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SLIM, HERMETIC SEALED, CERDIP-24
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码 DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP24,.3 DIP, DIP,
针数 24 24 24
Reach Compliance Code not_compliant unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-30 代码 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 24 24 24
字数 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
组织 512X8 512X8 512X8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches - 1 1
TouchGFX 设计”+graph波形绘制1
做了一个旋转的界面菜单,并且通过这个菜单进入对应的桌面。前两个桌面是参考官方例程,用来展示切页,第三个页面修改了官方demo2,以后想用于实时的波形显示,功能还在完善4096414096424096434 ......
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