NAND08GW3B2AZB6T,NAND08GW3B2AZB6T pdf中文资料,NAND08GW3B2AZB6T引脚图,NAND08GW3B2AZB6T电路-Datasheet-电子工程世界

NAND08GW3B2AZB6T: 产品描述Flash, 1GX8, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共59页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND08GW3B2AZB6T概述

Flash, 1GX8, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63

参数名称	属性值
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	63
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e0
长度	12 mm
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	63
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1GX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9.5 mm

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