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CXK77N18R160GB-33

产品描述Late-Write SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
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文件大小413KB,共24页
制造商SONY(索尼)
官网地址http://www.sony.co.jp
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CXK77N18R160GB-33概述

Late-Write SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

CXK77N18R160GB-33规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SONY(索尼)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间1.7 ns
其他特性IT CAN ALSO OPERATE WITH 2.5V NOMINAL SUPPLY
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源1.5/1.8,1.8/2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大待机电流0.16 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度14 mm

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描述 Late-Write SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 Late-Write SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 Late-Write SRAM, 512KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 Late-Write SRAM, 1MX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 Late-Write SRAM, 1MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 Late-Write SRAM, 512KX36, 1.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50 BGA, BGA119,7X17,50
针数 119 119 119 119 119 119
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
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