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GBU6M

产品描述6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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GBU6M概述

6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBU6M规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码GBU
包装说明R-PSFM-W4
针数4
制造商包装代码4LD, GBU, THROUGH-HOLE, MOLDED PACKAGE
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptiBridge Rectifiers 6A Bridge Rectifie
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压1000 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-W4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流175 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散12 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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GBU6A - GBU6M
GBU6A - GBU6M
Features
Glass passivated junction.
Surge overload rating: 175 amperes peak.
Reliable low cost construction utilizing
molded plastic technique.
Ideal for printed circuit board.
UL certified, UL #E111753.
+ ~
~
-
GBU
Bridge Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
T
stg
T
J
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
6A
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
DC Reverse Voltage
(Rated V
R
)
Average Rectified Forward Current, @ T
A
= 100°C
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
50
35
50
6B
100
70
100
6D
200
140
200
Value
6G
400
280
400
6.0
175
-55 to +150
-55 to +150
6J
600
420
600
6K
800
560
800
6M
1000
700
1000
Units
V
V
V
A
A
°C
°C
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
R
θJL
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient,* per leg
Thermal Resistance, Junction to Lead,** per leg
Parameter
Value
12
18.6
3.1
Units
W
°C/W
°C/W
*
Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm).
**
Device mounted on Al plate with 2.6 x 1.4" x 0.06" (6,5 x 3.5 x 0.15 cm).
Electrical Characteristics
Symbol
V
F
I
R
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Forward Voltage, per element @ 6.0 A
Reverse Current, per element @ rated V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
t rating for fusing
t < 8.35 ms
Device
1.0
5.0
500
127
Units
V
µA
µA
A
2
s
2001
Fairchild Semiconductor Corporation
GBU6A-GBU6M, Rev. C

GBU6M相似产品对比

GBU6M GBU6K GBU6A_01
描述 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
Brand Name Fairchild Semiconduc Fairchild Semiconduc -
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 Fairchild Fairchild -
零件包装代码 GBU GBU -
包装说明 R-PSFM-W4 PLASTIC, GBU, 4 PIN -
针数 4 4 -
制造商包装代码 4LD, GBU, THROUGH-HOLE, MOLDED PACKAGE 4LD, GBU, THROUGH-HOLE, MOLDED PACKAGE -
Reach Compliance Code _compli _compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED -
最小击穿电压 1000 V 800 V -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED -
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V -
JESD-30 代码 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 -
JESD-609代码 e3 e3 -
最大非重复峰值正向电流 175 A 175 A -
元件数量 4 4 -
相数 1 1 -
端子数量 4 4 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -
最大输出电流 6 A 6 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
最大功率耗散 12 W 12 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 1000 V 800 V -
表面贴装 NO NO -
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) -
端子形式 WIRE WIRE -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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