电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SF32G-AP-HF

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小495KB,共3页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SF32G-AP-HF概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

SF32G-AP-HF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

文档预览

下载PDF文档
MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
SF31G
THRU
SF38G
3 Amp High
Efficiency Glass

Features
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Low power loss, high efficiency
Low Forward Voltage Drop and Low Leakage
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Passivated Rectifier
50 to 600 Volts
DO-201AD
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65°C to +150°C
Storage Temperature: -65°C to +150°C
MCC
Device
Maximum
Maximum
Catalog
Marking
Reccurrent
RMS
Number
Peak Reverse
Voltage
Voltage
SF31G
SF31G
50V
35V
SF32G
SF32G
100V
70V
SF34G
SF34G
200V
140V
SF35G
SF35G
300V
210V
SF36G
SF36G
400V
280V
SF38G
SF38G
600V
420V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
300V
400V
600V
D
A
Cathode
Mark
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward
Current
Surge
D
I
F(AV)
I
FSM
3A
T
A
= 55°C
8.3ms, half sine
C
125A
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
SF31G-35G
SF36G
SF38G
V
F
0.95V
1.27V
1.75V
I
FM
= 3.0A;
T
A
= 25°C
DIMENSIONS
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery
Tim e
I
R
5
µA
50
µA
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
T
rr
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
35.0nS I
rr
=0.25A
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
.287
.189
.048
1.000
MAX
.374
.208
.052
---
MM
MIN
7.30
4.80
1.20
25.40
MAX
9.50
5.30
1.30
---
NOTE
Typical Junction
Capacitance
SF31G~35G
SF36G~38G
C
J
50pF
30pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Revision: B
www.mccsemi.com
1 of 3
2013/01/01

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 140  896  2702  2005  1872  49  32  34  1  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved