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P4C1981L-55DM

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小83KB,共10页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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P4C1981L-55DM概述

Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28

P4C1981L-55DM规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
其他特性INPUT DATA AT OUTPUTS DURING WRITE
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
长度36.449 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX4
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
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