DUAL OP-AMP, 1500uV OFFSET-MAX, 2.25MHz BAND WIDTH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0008 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
| 标称共模抑制比 | 80 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 1500 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 负供电电压上限 | -8 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-2.2/+-8/4.4/16 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 最小摆率 | 1.7 V/us |
| 标称压摆率 | 3.6 V/us |
| 最大压摆率 | 3 mA |
| 供电电压上限 | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 标称均一增益带宽 | 2250 kHz |
| 最小电压增益 | 10000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 8.89 mm |
| TLC2272AMFK | TLC2272MFK | |
|---|---|---|
| 描述 | DUAL OP-AMP, 1500uV OFFSET-MAX, 2.25MHz BAND WIDTH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | IC DUAL OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, 2.25 MHz BAND WIDTH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20, Operational Amplifier |
| 零件包装代码 | QLCC | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | CERAMIC, LCC-20 |
| 针数 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0008 µA | 0.0008 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
| 标称共模抑制比 | 80 dB | 80 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 1500 µV | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 8.89 mm | 8.89 mm |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -8 V | -8 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 功率 | NO | NO |
| 电源 | +-2.2/+-8/4.4/16 V | +-2.2/+-8/4.4/16 V |
| 可编程功率 | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 2.03 mm |
| 最小摆率 | 1.7 V/us | 1.7 V/us |
| 标称压摆率 | 3.6 V/us | 3.6 V/us |
| 最大压摆率 | 3 mA | 3 mA |
| 供电电压上限 | 8 V | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 标称均一增益带宽 | 2250 kHz | 2250 kHz |
| 最小电压增益 | 10000 | 10000 |
| 宽带 | NO | NO |
| 宽度 | 8.89 mm | 8.89 mm |
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