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KTA1659A-Y

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小456KB,共3页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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KTA1659A-Y概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN

KTA1659A-Y规格参数

参数名称属性值
厂商名称KEC
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220IS, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压180 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

KTA1659A-Y相似产品对比

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描述 Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN 额定功率:20W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:180V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-180V,Ic=-1.5A,hfe=120~240 Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220IS, 3 PIN
厂商名称 KEC KEC - KEC KEC
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB - TO-220AB TO-220AB
包装说明 TO-220IS, 3 PIN TO-220IS, 3 PIN - TO-220IS, 3 PIN TO-220IS, 3 PIN
针数 3 3 - 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A - 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 180 V 180 V - 160 V 160 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 70 - 120 70
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB - TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 - 1 1
端子数量 3 3 - 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP - PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W - 20 W 20 W
表面贴装 NO NO - NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz - 100 MHz 100 MHz

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