20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
参数名称 | 属性值 |
最大集电极电流 | 20 A |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
端子数量 | 25 |
额定关断时间 | 320 ns |
加工封装描述 | 25PM-AA, 25 PIN |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | Active |
壳体连接 | ISOLATED |
结构 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR |
jesd_30_code | R-XUFM-P25 |
jesd_609_code | e3 |
moisture_sensitivity_level | NOT APPLICABLE |
元件数量 | 6 |
包装材料 | UNSPECIFIED |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
larity_channel_type | N-CHANNEL |
qualification_status | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子涂层 | TIN |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | UPPER |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
额定导通时间 | 170 ns |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved