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JANSR2N7411

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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JANSR2N7411概述

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

JANSR2N7411规格参数

参数名称属性值
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)2.5 A
最大漏源导通电阻1.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)7.5 A
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/639
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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