Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | BCY |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 2.5 A |
最大漏源导通电阻 | 1.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 7.5 A |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500/639 |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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