Cache SRAM Module, 256KX36, 24ns, CMOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 24 ns |
| 其他特性 | BURST COUNTER |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N80 |
| 内存密度 | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 80 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM |
| 封装等效代码 | SSIM80 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 1.92 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| IDT7MP6087S40M | IDT7MP6085S33M | IDT7MP6085S40M | IDT7MP6087S33M | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM Module, 256KX36, 24ns, CMOS | Cache SRAM Module, 128KX36, 19ns, CMOS | Cache SRAM Module, 128KX36, 24ns, CMOS | Cache SRAM Module, 256KX36, 19ns, CMOS |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 24 ns | 19 ns | 24 ns | 19 ns |
| 其他特性 | BURST COUNTER | BURST COUNTER | BURST COUNTER | BURST COUNTER |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N80 | R-XSMA-N80 | R-XSMA-N80 | R-XSMA-N80 |
| 内存密度 | 9437184 bit | 4718592 bit | 4718592 bit | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM MODULE | CACHE SRAM MODULE | CACHE SRAM MODULE | CACHE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 36 | 36 | 36 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 80 | 80 | 80 | 80 |
| 字数 | 262144 words | 131072 words | 131072 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 128000 | 128000 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX36 | 128KX36 | 128KX36 | 256KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM | SIMM | SIMM | SIMM |
| 封装等效代码 | SSIM80 | SSIM80 | SSIM80 | SSIM80 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 225 | 225 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 1.92 mA | 0.96 mA | 0.96 mA | 1.92 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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