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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SRAF1060R
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SRAF1060R

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小187KB，共2页
制造商MOSPEC
官网地址http://www.mospec.com.tw/eng/index.html
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SRAF1060R概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN

SRAF1060R规格参数

参数名称属性值
厂商名称MOSPEC
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.65 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流175 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

SRAF1060R文档预览

MOSPEC
Switchmode
Full Plastic Dual Schottky Barrier Power Rectifiers
…Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal.
These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide
passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high
frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.
* Low Forward Voltage.
* Low Switching noise.
* High Current Capacity
* Guarantee Reverse Avalanche.
* Guard-Ring for Stress Protection.
* Low Power Loss & High efficiency.
* 125℃ Operating Junction Temperature
* Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.
* Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory
SRAF1030 thru SRAF1060
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIERS
10 AMPERES
30-60 VOLTS
ITO-220AC
MAXIMUM RATINGS
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectifier Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
(Rate V
R
, Square Wave, 20kHz)
Non-Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rate load conditions
halfware, single phase, 60Hz)
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
30
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
F(AV)
30
35
35
SRAF10
40
40
45
45
50
50
60
60
V
Unit
21
25
28
10
32
35
42
V
DIM
A
I
FM
20
V
I
FSM
175
V
T
J
, T
STG
-65 to +125
℃
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
O
Q
MILLIMETERS
MIN
MAX
15.05
15.15
13.35
13.45
10.00
10.10
6.55
6.65
2.65
2.75
---
1.00
1.15
1.25
0.55
0.65
4.80
5.20
3.00
3.20
1.10
1.20
0.55
0.65
4.40
4.60
1.15
1.25
2.65
2.75
3.35
3.45
3.15
3.25
ELECTRIAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Maximum Instantaneous Forward Voltage
( I
F
=10 Amp T
C
= 25℃)
( I
F
=10 Amp T
C
= 125℃)
Maximum Instantaneous Reverse Current
( Rated DC Voltage, T
C
= 25℃)
( Rated DC Voltage, T
C
= 125℃)
Symbol
30
V
F
35
SRAF10
40
45
50
60
V
Unit
0.55
0.48
0.65
0.57
I
R
1.0
50
mA
SRAF1030 thru SRAF1060
FIG-1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT (Amp.)
NSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (Amp.)
FIG-2 TYPICAL FORWARD CHARACTERISITICS
SRAF1030-SRAF1045
SRAF1050,SRAF1060
CASE TEMPERATURE (℃)
FORWARD VOLTAGE (Volts)
FIG-3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (Amp.)
FIG-4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
JUNCTION CAPACITANCE (
P
F)
SRAF1030-SRAF1045
SRAF1050,SRAF1060
SRAF1030-SRAF1045
SRAF1050,SRAF1060
PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE (﹪)
REVERSE VOLTAGE (Volts)
FIG-5 PEAK FORWARD SURGE CURRENT
CURRENT (Amp.)
PEAK FORWARD SURGE
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
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SRAF1060R相似产品对比

SRAF1060R SRAF1030R SRAF1030P SRAF1040P SRAF1040R SRAF1050P SRAF1050R SRAF1060P
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN
厂商名称 MOSPEC MOSPEC MOSPEC MOSPEC MOSPEC MOSPEC MOSPEC MOSPEC
包装说明 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.65 V 0.55 V 0.55 V 0.55 V 0.55 V 0.65 V 0.65 V 0.65 V
JEDEC-95代码 TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流 175 A 175 A 175 A 175 A 175 A 175 A 175 A 175 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 60 V 30 V 30 V 40 V 40 V 50 V 50 V 60 V
最大反向电流 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA 1000 µA
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE

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