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SRAS8100C0G

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小205KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SRAS8100C0G概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

SRAS8100C0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明D2PAK-3/2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流100 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SRAS820 thru SRAS8150
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low power loss, high efficiency
- Ideal for automated placement
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
TO-263AB (D
2
PAK)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Weight:
1.37 g (approximately)
TO-263AB (D
2
PAK)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 8 A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=100
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
0.55
SRAS SRAS SRAS SRAS SRAS SRAS SRAS SRAS
820
20
14
20
830
30
21
30
840
40
28
40
850
50
35
50
8
150
0.70
0.1
I
R
dV/dt
R
θJC
T
J
T
STG
- 55 to +125
5
-
10000
3
- 55 to +150
- 55 to +150
-
5
V/μs
O
860
60
42
60
890
90
63
90
8100 8150
100
70
100
150
105
150
Unit
V
V
V
A
A
0.95
V
mA
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1309054
Version: I13
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