IDT7MP456S25S概述

SRAM Module, 64KX4, 25ns, CMOS

IDT7MP456S25S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XSMA-T28
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	28
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP28,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.08 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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IDT7MP456S25S相似产品对比

	IDT7MP456S25S	IDT7MP456S30S	IDT7MP456S35S	IDT7MP456S45S	IDT7MP456S55S
描述	SRAM Module, 64KX4, 25ns, CMOS	SRAM Module, 64KX4, 30ns, CMOS	SRAM Module, 64KX4, 35ns, CMOS	SRAM Module, 64KX4, 45ns, CMOS	SRAM Module, 64KX4, 55ns, CMOS
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	30 ns	35 ns	45 ns	55 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XSMA-T28	R-XSMA-T28	R-XSMA-T28	R-XSMA-T28	R-XSMA-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP28,.1	SIP28,.1	SIP28,.1	SIP28,.1	SIP28,.1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.08 A	0.08 A	0.06 A	0.06 A	0.06 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.6 mA	0.6 mA	0.44 mA	0.44 mA	0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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