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KM49V512ALTR-8

产品描述Fast Page DRAM, 512KX9, 80ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28
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文件大小62KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM49V512ALTR-8概述

Fast Page DRAM, 512KX9, 80ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28

KM49V512ALTR-8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2-R, TSOP28,.46
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装等效代码TSOP28,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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