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IDT6168SA35FB

产品描述Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CDFP20, FP-20
产品类别存储    存储   
文件大小233KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT6168SA35FB概述

Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CDFP20, FP-20

IDT6168SA35FB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DFP
包装说明FP-20
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDFP-F20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度2.3368 mm
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度8.89 mm
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