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CMPTA64LEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小322KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMPTA64LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPTA64LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)20000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz

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CMPTA13
CMPTA63
CMPTA14 NPN
CMPTA64 PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY SILICON
DARLINGTON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA13 and
CMPTA63 series are complementary silicon darlington
transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount package,
designed for applications requiring extremely high gain.
MARKING CODES: CMPTA13: C1M
CMPTA14: C1N
CMPTA63: C2U
CMPTA64: C2V
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25 °C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
30
30
10
500
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
IEBO
BVCES
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
VCB=30V
VBE=10V
IC=100µA
IC=100mA, IB=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA (CMPTA13, CMPTA63)
VCE=5.0V, IC=10mA (CMPTA14, CMPTA64)
VCE=5.0V, IC=100mA (CMPTA13, CMPTA63)
VCE=5.0V, IC=100mA (CMPTA14, CMPTA64)
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
MIN
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
30
1.5
2.0
5,000
10,000
10,000
20,000
125
V
V
MHz
R5 (1-February 2010)

CMPTA64LEADFREE相似产品对比

CMPTA64LEADFREE CMPTA63LEADFREE CMPTA63BKPBFREE CMPTA14LEADFREE CMPTA13LEADFREE
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 20000 10000 5000 20000 10000
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 125 MHz 125 MHz 125 MHz 125 MHz
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
针数 3 3 - 3 3
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 - e3 e3
湿度敏感等级 1 1 - 1 1
元件数量 1 1 - 1 1
端子数量 3 3 - 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
端子面层 MATTE TIN (315) Matte Tin (Sn) - MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 - 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON
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