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CMPT3904GTR: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小120KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMPT3904GTR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPT3904GTR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz
最大关闭时间（toff）	250 ns
最大开启时间（吨）	70 ns

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CMPT3904 CMPT3904G*

CMPT3906 CMPT3906G*

NPN

PNP

Central

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are

complementary silicon transistors manufactured by

the epitaxial planar process, epoxy molded in a

surface mount package, designed for small signal

general purpose amplifier and switching applications.

MARKING CODES: CMPT3904:

CMPT3906:

CMPT3904G*:

CMPT3906G*:

CMPT3904

CMPT3906

CMPT3904G* CMPT3906G*

6.0

200

350

-65 to +150

357

CMPT3906

CMPT3906G*

MIN

MAX

5.0

0.65

100

0.25

0.40

0.85

0.95

300

5.0

COMPLEMENTARY

SILICON TRANSISTORS

SOT-23 CASE

Device is

Halogen Free

by design

C1A

C2A

CG1

CG2

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

ICEV

VCE=30V, VEB=3.0V

IBL

VCE=30V, VEB=3.0V

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

hFE

IC=10μA

IC=1.0mA

IE=10μA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

VCE=1.0V, IC=0.1mA

VCE=1.0V, IC=1.0mA

VCE=1.0V, IC=10mA

VCE=1.0V, IC=50mA

VCE=1.0V, IC=100mA

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

CMPT3904

CMPT3904G*

MIN

MAX

6.0

0.65

100

0.20

0.30

0.85

0.95

300

UNITS

R6 (23-January 2009)

CMPT3904GTR相似产品对比

	CMPT3904GTR	CMPT3906GTR	CMPT3906GBK
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.2 A	0.2 A
集电极-发射极最大电压	40 V	40 V	40 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30	30	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	0.35 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz	250 MHz	250 MHz
最大关闭时间（toff）	250 ns	300 ns	300 ns
最大开启时间（吨）	70 ns	70 ns	70 ns

CMPT3904GTR

CMPT3904GTR概述

CMPT3904GTR规格参数

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