Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | TO-247AD |
包装说明 | , |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 9 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 240 W |
表面贴装 | NO |
APT801R2BNR | APT801R4BNR | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
零件包装代码 | TO-247AD | TO-247AD |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 9 A | 8.5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 240 W | 240 W |
表面贴装 | NO | NO |
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