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APT801R2BNR

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT801R2BNR概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

APT801R2BNR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-247AD
包装说明,
针数3
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)240 W
表面贴装NO

APT801R2BNR相似产品对比

APT801R2BNR APT801R4BNR
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称 Microsemi Microsemi
零件包装代码 TO-247AD TO-247AD
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9 A 8.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 240 W 240 W
表面贴装 NO NO

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