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IDC51D120T6M

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小58KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IDC51D120T6M概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1

IDC51D120T6M规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明R-XUUC-N1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.05 V
JESD-30 代码R-XUUC-N1
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流100 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流18 µA
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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IDC51D120T6M
Diode EMCON 4 Medium Power Chip
FEATURES:
1200V EMCON 4 technology
soft, fast switching
low reverse recovery charge
small temperature coefficient
A
This chip is used for:
low / medium power modules
C
Applications:
low / medium power drives
Chip Type
IDC51D120T6M
V
R
I
F
Die Size
7.00 x 7.30 mm
2
Package
sawn on foil
1200V 100A
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
Area total / active
Anode pad size
Thickness
Wafer size
Flat position
Max. possible chips per wafer
Passivation frontside
Pad metall
Backside metall
Die bond
Wire bond
Reject ink dot size
Recommended storage environment
7.00 x 7.30
51.10 / 39.99
6.046 x 6.346
110
150
180
277 pcs
Photoimide
3200 nm AlSiCu
Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
electrically conductive glue or solder
Al,
≤500µm
0.65mm; max 1.2mm
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
µm
mm
deg
mm
2
Edited by INFINEON Technologies, AIM PMD D CID T, L4673B, Edition 0.9, 23.11.06

IDC51D120T6M相似产品对比

IDC51D120T6M IDC51D120T6MX1SA3
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1 DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 R-XUUC-N1 R-XUUC-N1
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 2.05 V 2.05 V
JESD-30 代码 R-XUUC-N1 R-XUUC-N1
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 100 A 100 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 1200 V 1200 V
最大反向电流 18 µA 18 µA
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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