Memory IC
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | e2v technologies |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 25 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| 长度 | 37.0205 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 12.5 V |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| CY7C287-65DMB | CY7C287-55QMB | CY7C287-65LMB | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Memory IC | Memory IC | Memory IC |
| 厂商名称 | e2v technologies | e2v technologies | e2v technologies |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.3 | WQCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 25 ns | 20 ns | 25 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 |
| 长度 | 37.0205 mm | 13.97 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM | UVPROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 32 | 32 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | WQCCN | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP28,.3 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER, WINDOW | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 编程电压 | 12.5 V | 12.5 V | 12.5 V |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.286 mm | 2.286 mm |
| 最大压摆率 | 0.15 mA | 0.15 mA | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH HOLE | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD |
| 宽度 | 7.62 mm | 11.43 mm | 11.43 mm |
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