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8N80G-TA3-T: 产品描述800V N-CHANNEL MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小187KB，共6页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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8N80G-TA3-T概述

800V N-CHANNEL MOSFET

8N80G-TA3-T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
雪崩能效等级（Eas）	850 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	1.45 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	178 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

8N80G-TA3-T相似产品对比

	8N80G-TA3-T	8N80G-TF1-T	8N80L-TF1-T	8N80	8N80L-TA3-T
描述	800V N-CHANNEL MOSFET	800V N-CHANNEL MOSFET	800V N-CHANNEL MOSFET	800V N-CHANNEL MOSFET	800V N-CHANNEL MOSFET
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	-	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	TO-220F1, 3 PIN	TO-220F1, 3 PIN	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3	-	3
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	-	compli
雪崩能效等级（Eas）	850 mJ	850 mJ	850 mJ	-	850 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V	800 V	800 V	-	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A	8 A	8 A	-	8 A
最大漏极电流 (ID)	8 A	8 A	8 A	-	8 A
最大漏源导通电阻	1.45 Ω	1.45 Ω	1.45 Ω	-	1.45 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	-	1
端子数量	3	3	3	-	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	178 W	59 W	59 W	-	178 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A	32 A	32 A	-	32 A
表面贴装	NO	NO	NO	-	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON

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