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BYG50GT/R

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 400V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小310KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BYG50GT/R概述

Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 400V V(RRM),

BYG50GT/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流2.1 A
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

BYG50GT/R相似产品对比

BYG50GT/R BYG50DT/R BYG50MT/R BYG50JT/R BYG50KT/R
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 400V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 1000V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 600V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 800V V(RRM),
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 2.1 A 2.1 A 2.1 A 2.1 A 2.1 A
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V 1000 V 600 V 800 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) - Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
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