30N06-TF3-T,30N06-TF3-T pdf中文资料,30N06-TF3-T引脚图,30N06-TF3-T电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 30N06-TF3-T

30N06-TF3-T: 产品描述30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小230KB，共9页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/

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30N06-TF3-T概述

30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

30N06-TF3-T规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.04 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

30N06-TF3-T相似产品对比

	30N06-TF3-T	30N06-TA3-T	30N06L-TA3-T	30N06_07	30N06	30N06L-TF3-T
描述	30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-	-	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3	-	-	3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	-	-	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ	300 mJ	300 mJ	-	-	300 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	-	-	60 V
最大漏极电流 (ID)	30 A	30 A	30 A	-	-	30 A
最大漏源导通电阻	0.04 Ω	0.04 Ω	0.04 Ω	-	-	0.04 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	-	-	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-	-	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	-	-	1
端子数量	3	3	3	-	-	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	-	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	-	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	-	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A	120 A	120 A	-	-	120 A
表面贴装	NO	NO	NO	-	-	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	-	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	-	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	-	-	1

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