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25N10L-TN3-R

产品描述N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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25N10L-TN3-R概述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

25N10L-TN3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)23 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

25N10L-TN3-R相似产品对比

25N10L-TN3-R 25N10 25N10G-TN3-R
描述 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 - 符合
零件包装代码 TO-252 - TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 - 4
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V - 100 V
最大漏极电流 (ID) 23 A - 23 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω - 0.08 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 - TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A - 80 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
Base Number Matches 1 - 1

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