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13N50L-TF1-T

产品描述500V N-CHANNEL MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小30KB,共2页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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13N50L-TF1-T概述

500V N-CHANNEL MOSFET

13N50L-TF1-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)860 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)13 A
最大漏极电流 (ID)13 A
最大漏源导通电阻0.48 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)52 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

13N50L-TF1-T相似产品对比

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描述 500V N-CHANNEL MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET 500V N-CHANNEL MOSFET
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 - -
零件包装代码 TO-220AB - TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB - -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-220, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-220, 3 PIN - -
针数 3 - 3 3 3 3 - -
Reach Compliance Code compli - compli compli compli compli - -
Is Samacsys N - N N N N - -
雪崩能效等级(Eas) 860 mJ - 860 mJ 860 mJ 860 mJ 972 mJ - -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - -
最小漏源击穿电压 500 V - 500 V 500 V 500 V 500 V - -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 13 A - 13 A 13 A 13 A 13 A - -
最大漏极电流 (ID) 13 A - 13 A 13 A 13 A 13 A - -
最大漏源导通电阻 0.48 Ω - 0.48 Ω 0.48 Ω 0.48 Ω 0.48 Ω - -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - -
JEDEC-95代码 TO-220AB - TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB - -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - -
元件数量 1 - 1 1 1 1 - -
端子数量 3 - 3 3 3 3 - -
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - -
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - -
最大功率耗散 (Abs) 48 W - 48 W 168 W 48 W 168 W - -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 52 A - 52 A 52 A 52 A 52 A - -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
表面贴装 NO - NO NO NO NO - -
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - -
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - -
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON - -
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 - -
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