Flash, 512KX32, 64ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SPANSION |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | LBGA, BGA80,8X10,40 |
| 针数 | 80 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 64 ns |
| 其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK |
| 启动块 | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B80 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 16,30 |
| 端子数量 | 80 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512KX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA80,8X10,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8/3.3,2.6 V |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 部门规模 | 2K,16K |
| 最大待机电流 | 0.00006 A |
| 最大压摆率 | 0.09 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.75 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 11 mm |
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