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10N75L-TF3-T

产品描述10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小166KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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10N75L-TF3-T概述

10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

10N75L-TF3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)920 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压750 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻1.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
10N75
Preliminary
Power MOSFET
10 Amps, 750 Volts
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC
10N75
is a N-channel mode Power FET using UTC’s
advanced technology to provide costomers with planar stripe and
DMOS technology. This technology specialized in allowing a minimum
on-state resistance and superior switching performance. It also can
withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
The UTC
10N75
is universally applied in high efficiency switch
mode power supply, active power faction correction, electronic lamp
based on half bridge topology.
1
TO-220
1
TO-220F
1
TO-220F1
FEATURES
* 10A, 750V, R
DS(on)
=1.1Ω @V
GS
=10V
* High switching speed
* Improved dv/dt capability
* 100% avalanche tested
SYMBOL
2.Drain
1.Gate
3.Source
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
10N75L-TA3-T
10N75G-TA3-T
10N75L-TF3-T
10N75G-TF3-T
10N75L-TF1-T
10N75G-TF1-T
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain
Package
TO-220
TO-220F
TO-220F1
S: Source
Pin Assignment
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
Packing
Tube
Tube
Tube
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 6
QW-R502-501.a

10N75L-TF3-T相似产品对比

10N75L-TF3-T 10N75G-TA3-T 10N75G-TF3-T 10N75L-TF1-T 10N75L-TA3-T 10N75G-TF1-T 10N75
描述 10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 -
针数 3 3 3 3 3 3 -
Reach Compliance Code compliant compli compliant compliant compli compliant -
雪崩能效等级(Eas) 920 mJ 920 mJ 920 mJ 920 mJ 920 mJ 920 mJ -
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED - ISOLATED -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 750 V 750 V 750 V 750 V 750 V 750 V -
最大漏极电流 (ID) 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A -
最大漏源导通电阻 1.1 Ω 1.1 Ω 1.1 Ω 1.1 Ω 1.1 Ω 1.1 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 -
元件数量 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 3 3 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A -
表面贴装 NO NO NO NO NO NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -
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