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2SD1858TV6/QR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小102KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SD1858TV6/QR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SD1858TV6/QR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量30 pF
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.4 V
Base Number Matches1

 
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