HYB18RL25616AC-4,HYB18RL25616AC-4 pdf中文资料,HYB18RL25616AC-4引脚图,HYB18RL25616AC-4电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB18RL25616AC-4: 产品描述DDR DRAM, 16MX16, 24ns, CMOS, PBGA144, TFBGA-144; 产品类别存储存储; 文件大小575KB，共36页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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HYB18RL25616AC-4概述

DDR DRAM, 16MX16, 24ns, CMOS, PBGA144, TFBGA-144

HYB18RL25616AC-4规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA144,12X18,40/32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	24 ns
其他特性	AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B144
长度	18.5 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA144,12X18,40/32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源	1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
连续突发长度	2,4
最大供电电压 (Vsup)	1.85 V
最小供电电压 (Vsup)	1.75 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	11 mm

HYB18RL25616AC-4相似产品对比

	HYB18RL25616AC-4	HYB18RL25616AC-3.3	HYB18RL25632AC-5	HYB18RL25632AC-3.3
描述	DDR DRAM, 16MX16, 24ns, CMOS, PBGA144, TFBGA-144	DDR DRAM, 16MX16, 20ns, CMOS, PBGA144, TFBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 30ns, CMOS, PBGA144, TFBGA-144	DDR DRAM, 8MX32, 20ns, CMOS, PBGA144, TFBGA-144
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA144,12X18,40/32	TFBGA-144	TBGA, BGA144,12X18,40/32	TFBGA-144
针数	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	24 ns	20 ns	30 ns	20 ns
其他特性	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz	300 MHz	200 MHz	300 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144
长度	18.5 mm	18.5 mm	18.5 mm	18.5 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	32	32
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144
字数	16777216 words	16777216 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	16000000	16000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX16	16MX16	8MX32	8MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源	1.8,2.5 V	1.8,2.5 V	1.8,2.5 V	1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
连续突发长度	2,4	2,4	2,4	2,4
最大供电电压 (Vsup)	1.85 V	1.85 V	1.85 V	1.85 V
最小供电电压 (Vsup)	1.75 V	1.75 V	1.75 V	1.75 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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