7 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 50 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.35 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 13 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 2 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 85 ns |
| 最大开启时间（吨） | 85 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| 7N10G-AA3-R | 7N10 | 7N10G-TN3-R | 7N10L-TN3-R | 7N10L-AA3-R | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 7 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | 7 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | 7 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | 7 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | 7 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | - | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 | - | 4 | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 50 mJ | - | 50 mJ | 50 mJ | 50 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | - | 100 V | 100 V | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7 A | - | 7 A | 7 A | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7 A | - | 7 A | 7 A | 7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.35 Ω | - | 0.35 Ω | 0.35 Ω | 0.35 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 13 pF | - | 13 pF | 13 pF | 13 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | - | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PDSO-G4 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | - | 2 | 2 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 2 W | - | 2.5 W | 2.5 W | 2 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W | - | 2.5 W | 2.5 W | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16 A | - | 16 A | 16 A | 16 A |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | - | SINGLE | SINGLE | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 85 ns | - | 85 ns | 85 ns | 85 ns |
| 最大开启时间（吨） | 85 ns | - | 85 ns | 85 ns | 85 ns |
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