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4N50L-TA3-T

产品描述4 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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4N50L-TA3-T概述

4 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

4N50L-TA3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)216 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)85 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
4N50
Preliminary
Power MOSFET
4 Amps, 500 Volts
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC
4N50
is an N-channel mode power MOSFET using
UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe
and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state
resistance and superior switching performance. It also can withstand
high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
The UTC
4N50
is generally applied in high efficiency switch mode
power supplies, active power factor correction and electronic lamp
ballasts based on half bridge topology.
1
TO-220
1
TO-220F
FEATURES
* 4A, 500V, R
DS(ON)
=2.0Ω @ V
GS
=10V
* High Switching Speed
* 100% Avalanche Tested
SYMBOL
2.Drain
1.Gate
3.Source
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
4N50L-TA3-T
4N50G-TA3-T
4N50L-TF3-T
4N50G-TF3-T
Pin Assignment: G: Gate D: Drain
S: Source
Package
TO-220
TO-220F
Pin Assignment
1
2
3
G
D
S
G
D
S
Packing
Tube
Tube
Note:
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 6
QW-R502-525.a

4N50L-TA3-T相似产品对比

4N50L-TA3-T 4N50G-TA3-T 4N50 4N50G-TF3-T 4N50L-TF3-T
描述 4 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 4 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 4 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 4 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 4 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB - TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 - 3 3
Reach Compliance Code compli compli - compli compli
雪崩能效等级(Eas) 216 mJ 216 mJ - 216 mJ 216 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V - 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4 A 4 A - 4 A 4 A
最大漏极电流 (ID) 4 A 4 A - 4 A 4 A
最大漏源导通电阻 2 Ω 2 Ω - 2 Ω 2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB - TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 - 1 1
端子数量 3 3 - 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 85 W 85 W - 28 W 28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 16 A 16 A - 16 A 16 A
表面贴装 NO NO - NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON
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