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K8S6615EBD-DC7B0

产品描述Flash, 4MX16, 70ns, PBGA44, 7.50 X 5 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-44
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共48页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K8S6615EBD-DC7B0概述

Flash, 4MX16, 70ns, PBGA44, 7.50 X 5 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-44

K8S6615EBD-DC7B0规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间70 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PBGA-B44
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压1.8 V
座面最大高度1 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM

 
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