K7A163680A-QC14,K7A163680A-QC14 pdf中文资料,K7A163680A-QC14引脚图,K7A163680A-QC14电路-Datasheet-电子工程世界

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K7A163680A-QC14: 产品描述Cache SRAM, 512KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小469KB，共18页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K7A163680A-QC14概述

Cache SRAM, 512KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

K7A163680A-QC14规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	4 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	138 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	100
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.06 A
最大压摆率	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

K7A163680A-QC14相似产品对比

	K7A163680A-QC14	K7A163280A-QC14	K7A163280A-QI14	K7A163680A-QI14
描述	Cache SRAM, 512KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100	100	100	100
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	4 ns	4 ns	4 ns	4 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	138 MHz	138 MHz	138 MHz	138 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	18874368 bit	16777216 bit	16777216 bit	18874368 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	32	32	36
功能数量	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	512KX36	512KX32	512KX32	512KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.06 A	0.06 A	0.06 A	0.06 A
最大压摆率	0.28 mA	0.281 mA	0.281 mA	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

K7A163680A-QC14

K7A163680A-QC14概述

K7A163680A-QC14规格参数

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