QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, |
针数 | 165 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 0.45 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 15 mm |
内存密度 | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | QDR SRAM |
内存宽度 | 18 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 165 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 13 mm |
K7R161884B-FC330 | K7R160884B-FC330 | K7R163684B-FC330 | |
---|---|---|---|
描述 | QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | LBGA, | LBGA, | LBGA, |
针数 | 165 | 165 | 165 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) |
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