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IXTT120N15P

产品描述Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小574KB,共5页
制造商IXYS
标准  
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IXTT120N15P概述

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

IXTT120N15P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-268AA
包装说明TO-268, 3 PIN
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionMOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)2000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (ID)120 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-268AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)260 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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