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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小204KB,共5页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 45 V, 硅, 信号二极管

1N5819规格参数

参数名称属性值
端子数量1
元件数量1
加工封装描述DIE-2
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸UNCASED 芯片
表面贴装Yes
端子形式NO 铅
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压45 V
最大平均正向电流1 A

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
1N5819
SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES
* Schottky barrier chip
* Low power loss, high efficiency.
* Low forward voltage drop.
* High surge current capability.
* For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling
diode, and polarity protection applications.
DIODE
-
+
SOD-123
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
1N5819L-CA2-R
1N5819G-CA2-R
Package
SOD-123
Packing
Tape Reel
MARKING
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R601-008.C

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