BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
缓冲或反向 场效应管管驱动器, PDSO8
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最大工作温度 | 85 Cel |
| 最小工作温度 | -40 Cel |
| 最大供电电压1 | 50 V |
| 最小供电电压1 | 11 V |
| 额定供电电压1 | 12 V |
| 导通时间 | 0.8000 us |
| 关断时间 | 1.5 us |
| 加工封装描述 | SOIC-8 |
| 状态 | ACTIVE |
| 工艺 | BIMOS |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子间距 | 1.27 mm |
| 端子涂层 | TIN LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 接口类型 | BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER |
| MIC5020_11 | MIC5020 | MIC5020BM | |
|---|---|---|---|
| 描述 | BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 | BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 | BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 表面贴装 | Yes | Yes | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 最大工作温度 | 85 Cel | 85 Cel | - |
| 最小工作温度 | -40 Cel | -40 Cel | - |
| 最大供电电压1 | 50 V | 50 V | - |
| 最小供电电压1 | 11 V | 11 V | - |
| 额定供电电压1 | 12 V | 12 V | - |
| 导通时间 | 0.8000 us | 0.8000 us | - |
| 关断时间 | 1.5 us | 1.5 us | - |
| 加工封装描述 | SOIC-8 | SOIC-8 | - |
| 状态 | ACTIVE | ACTIVE | - |
| 工艺 | BIMOS | BIMOS | - |
| 包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 端子间距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 端子涂层 | TIN LEAD | TIN LEAD | - |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 接口类型 | BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER | BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER | - |
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