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MS1426

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M122, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MS1426概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M122, 4 PIN

MS1426规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明M122, 4 PIN
针数4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)2.5 A
基于收集器的最大容量26 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRPM-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)58 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MS1426文档预览

140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MS1426
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
UHF MOBILE APPLICATIONS
Features
470 MHz
12.5 VOLTS
P
OUT
=
10 WATTS
G
P
= 8.0 dB MINIMUM
COMMON EMITTER CONFIRGURATION
DESCRIPTION:
The MS1426 is a epitaxial silicon NPN planar transistor designed
for Class C driver applications in the 450 - 512 MHz frequency
range. This device uses an emitter ballasted die geometry
specifically designed for optimum stable power gain, maximum
efficiency and infinite VSWR capability.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25° C)
°
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
36
16
36
4.0
2.5
58
200
-65 to +150
Unit
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Thermal Data
R
TH(J-C)
Junction-case Thermal Resistance
3.0
°
C/W
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.
MS1426
STATIC
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25° C)
25
°
Symbol
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
I
CBO
H
FE
I
C
= 25 mA
I
C
= 20 mA
I
E
= 10 mA
V
CE
= 10 V
V
CB
= 15V
V
CE
= 5 V
Test Conditions
V
BE
= 0 V
I
B
= 0 mA
I
C
= 0 mA
I
E
= 0 mA
I
E
= 0 mA
I
C
= 1 A
Min.
36
16
4.0
---
---
10
Value
Typ.
---
---
---
---
---
---
Max.
---
---
---
3.0
2.0
150
Unit
V
V
V
mA
mA
---
DYNAMIC
Symbol
P
OUT
G
P
C
OB
f = 470 MHz
f = 470 MHz
f = 1 MHz
Test Conditions
P
IN
= 2.0W
P
IN
= 2.0W
V
CB
= 12.5V
V
CE
= 12.5V
V
CE
= 12.5V
Min.
10
7
---
Value
Typ.
---
---
---
Max.
---
---
26
Unit
W
dB
pf
IMPEDANCE DATA
FREQ
470MHz
P
IN
= 2.0W
V
CE
= 12.5V
Z
IN
(
Ω)
1.5 - j2.7
Z
CL
(
Ω)
5.7 + j1.5
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
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MS1426
PACKAGE MECHANICAL DATA
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