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MS1280: 产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, M164, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小85KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MS1280概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, M164, 4 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	M164, 4 PIN
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
最大集电极电流 (IC)	16 A
基于收集器的最大容量	150 pF
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-MRPM-F4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	150 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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