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HY51V64804SLJC-50

产品描述EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
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文件大小270KB,共8页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V64804SLJC-50概述

EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

HY51V64804SLJC-50规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J32
长度20.96 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度3.76 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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