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MS1000

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, M174, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MS1000概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, M174, 4 PIN

MS1000规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)20 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码O-CRFM-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)270 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MS1000文档预览

140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MS1000
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
HF SSB APPLICATIONS
Features
30 MHz
28 VOLTS
IMD = -30 dB
GOLD METALLIZATION
P
OUT
= 125 WATTS
G
P
= 15dB MINIMUM
COMMON EMITTER CONFIGURATION
DESCRIPTION:
The MS1000 is a 28V Class A silicon NPN planar transistor
designed primarily for SSB communications. Diffused
emitter ballast provide infinite VSWR capability
under rated operating conditions.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25° C)
°
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
D
Tj
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
65
36
4.0
20
270
200
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Thermal Data
R
TH(J-C)
Thermal Resistance Junction-case
0.65
°
C/W
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.
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PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MS1000
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25° C)
25
°
STATIC
Symbol
BV
CBO
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 10 mA
V
CE
= 30 V
V
CE
= 5 V
Test Conditions
I
E
= 0 mA
V
BE
= 0 V
I
B
= 0 mA
I
C
= 0 mA
I
E
= 0 mA
I
C
= 5 A
Min.
65
65
35
4.0
---
10
Value
Typ.
---
---
---
---
---
---
Max.
---
---
---
---
15
200
Unit
V
V
V
V
mA
---
DYNAMIC
DYNAMIC
Symbol
P
OUT
G
P
IMD*
f = 30MHz
f = 30MHz
f = 30MHz
f = 1 MHz
Test Conditions
P
IN
= 3.95W
P
IN
= 3.95W
V
CC
= 28V
V
CB
= 30V
V
CE
= 28V
V
CE
= 28V
I
CQ
= 100mA
Min.
125
15
---
---
Value
Typ.
---
---
---
---
Max.
---
---
-30
285
Unit
W
dB
dB
pf
C
OB
*
TWO-TONE MEASUREMENT
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MS1000
PACKAGE MECHANICAL DATA
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