512K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDFP36
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 36 |
| 最大工作温度 | 85 Cel |
| 最小工作温度 | -40 Cel |
| 最大供电/工作电压 | 5.5 V |
| 最小供电/工作电压 | 4.5 V |
| 额定供电电压 | 5 V |
| 最大存取时间 | 20 ns |
| 加工封装描述 | CERAMIC, DFP-36 |
| 状态 | ACTIVE |
| 工艺 | CMOS |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | FLATPACK |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子涂层 | GOLD |
| 端子位置 | DUAL |
| 包装材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 512K X 8 |
| 存储密度 | 4.19E6 deg |
| 操作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 位数 | 524288 words |
| 位数 | 512K |
| 内存IC类型 | STANDARD SRAM |
| 串行并行 | PARALLEL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
